STMicroelectronics STB55NF06T4

Name: STMicroelectronics STB55NF06T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB55NF06T4

N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET

$ 0.85

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		STB55NF06T4	1,000	1K					0.556	0.542	2d
Newark	2	STB55NF06T4	1,836	1	Cut Tape	2.750	1.900	1.410	1.170	1.170
Verical	3	STB55NF06T4	6,000	1K					0.512	0.503
Arrow Electronics	3	STB55NF06T4	390	1		0.551	0.543	0.526	0.517	0.517
TME	2	STB55NF06T4	648	1		2.190	1.480	1.480	1.040	0.960	22h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1980-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

STMicroelectronics STB55NF06T4の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET

STMicroelectronics

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet Silica

STB55NF06T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 60 V, 3-PIN D2PAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:50A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:110W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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