Infineon IRFH5250DTRPBF

Name: Infineon IRFH5250DTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5250DTRPBF

Single N-Channel 25 V 1.4 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

$ 0.807

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRFH5250DTRPBF	7,792	1		1.060	0.911	0.822	0.806	0.806
Rochester Electronics	2	IRFH5250DTRPBF	8,000					0.972	0.807	0.719	9h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRFH5250DTRPBF	0	5	Bulk		1.560	1.400	1.400	1.400	2h
Farnell	2	IRFH5250DTRPBF	3,745	1	Cut Tape	1.216*	1.184*	1.152*	1.097*	1.097*	9h
Verical	2	IRFH5250DTRPBF	7,792	11				0.822	0.806	0.806

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InfineonIRFH5250DTRPBF

InfineonIRFH5250DTR2PBF

Price @ 1000

$ 0.807

$ 1.686

Stock

880,191

89,465

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

VQFN

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

Continuous Drain Current (ID)

40 A

Threshold Voltage

1.8 V

Rds On Max

1.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.6 W

Input Capacitance

6.115 nF

706 pF

サプライチェーン

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFH5250DTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 25 V 1.4 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PQFN EP T/R

Avnet

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation Pd:3.6W

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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