Infineon IRFH5250TRPBF

Name: Infineon IRFH5250TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFH5250TRPBF

Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

$ 0.718

NRND

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFH5250TRPBF	3,000	1	Cut Tape	0.255	0.255	0.255	0.255	0.255
Arrow Electronics		IRFH5250TRPBF	4,000	1		2.084	2.084	2.084	2.084	2.084
Future Electronics	2	IRFH5250TRPBF	8,000	4K	Tape & Reel					1.030
Rochester Electronics		IRFH5250TRPBF	34,628					0.837	0.695	0.619	3h
DigiKey	2	IRFH5250TRPBFCT-ND	7,389	1	Cut Tape	2.400	1.540	1.047	0.768	0.754

在庫履歴

3か月間の傾向 : +2.11%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRFH5250TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet10ページ0年前

IHS

Farnell

在庫履歴

3か月間の傾向:

+2.11%

CADモデル

製造元 Infineon IRFH5250TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonIRFH5250TRPBF

InfineonIRFH5250TR2PBF

Price @ 1000

$ 0.718

$ 0.81

Stock

752,141

136,494

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

QFN EP

TO-252-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

25 V

Continuous Drain Current (ID)

45 A

Threshold Voltage

1.8 V

Rds On Max

1.15 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.6 W

Input Capacitance

7.174 nF

2.93 nF

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-09-18

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRFH5250TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm

Future Electronics

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 100 A, 0.00115 ohm, PQFN, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET N-CH 25V 45A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 25V 45A PQFN

Win Source

Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:100A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon