Infineon IRFB4410ZPBF

Name: Infineon IRFB4410ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB4410ZPBF

IRFB4410ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 97 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB

$ 0.625

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	61M6838	1,153	1		2.000	1.820	1.510	1.110	0.995	5d
Newark		IRFB4410ZPBF	1,153	1		0.658	0.658	0.658	0.658	0.658
Future Electronics	2	IRFB4410ZPBF	5,600	50	Tube			0.590	0.575	0.530
Arrow Electronics	2	IRFB4410ZPBF	6,017	1		1.208	0.999	0.793	0.625	0.568
Rutronik		TMOSP12130	29,250	50				0.697	0.557	0.557	3h

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Newark

Burklin Elektronik

iiiC

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部品

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InfineonIRFB4410ZPBF

InfineonIRFB4410ZGPBF

Price @ 1000

$ 0.625

$ 2.09

Stock

681,808

181,489

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

97 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

9 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

230 W

Input Capacitance

4.82 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-03-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

説明

Infineon IRFB4410ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRFB4410ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 97 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Win Source

Single N-Channel 100 V 9 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 97 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 230 W

Distrelec

100V 97A 9m´Î@10V58A 230W 4V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:97A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:230W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:4410; Current Id Max:96A; N-channel Gate Charge:83nC; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:230W; Power Dissipation Pd:230mW; Pulse Current Idm:390A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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