Infineon IRFB4410PBF

Name: Infineon IRFB4410PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB4410PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 88A; TO-220AB; Pd 200W; Vf 1.3V

$ 0.917

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFB4410PBF	3,965	1		2.710	1.340	1.210	0.938	0.938
Rochester Electronics	2	IRFB4410PBF	142					1.080	0.896	0.799	6h
DigiKey		IRFB4410PBF-ND	1,550	1	Tube	3.390	3.390	1.502	1.115	0.898
Arrow Electronics	3	IRFB4410PBF	23,530	1		0.855	0.766	0.745	0.672	0.669
Avnet		IRFB4410PBF	0	3K						0.741	1d

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Newark

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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部品

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InfineonIRFB4410PBF

InfineonAUIRFB4410

Price @ 1000

$ 0.917

$ 0.38

Stock

320,285

153,451

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Threshold Voltage

4 V

2 V

Rds On Max

10 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 W

Input Capacitance

5.15 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-10-13

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

説明

Infineon IRFB4410PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;TO-220AB;PD 200W;VF 1.3V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 10 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 1210 8200pF 630volts U2J +/-5%

Utmel Electronic

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:96A; On Resistance Rds(On):0.008Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

MOSFET, N, 100V, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:96A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:250W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Avalanche Single Pulse Energy Eas:220mJ; Capacitance Ciss Typ:5150pF; Current Id Max:88A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:10mohm; Package / Case:TO-220; Pin Configuration:a; Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S; Power Dissipation Pd:250W; Power Dissipation Pd:250W; Power Dissipation Ptot Max:250W; Pulse Current Idm:380A; Reverse Recovery Time trr Typ:38ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC