価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | FDP3632-ND | 5,855 | 1 | Tube | ||||||||
| Newark | FDP3632 | 0 | 150 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDP3632 | 0 | 50 | Bulk | ||||||||
| Future Electronics | FDP3632 | 0 | 800 | Tube | ||||||||
| Master Electronics | FDP3632 | 0 | 50 |
CADモデル
製造元 onsemi FDP3632 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
説明
onsemi FDP3632の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET Negative Channel 100 Volt 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 80A, 9mΩ. Recommended replacement is FDP090N10
N-Channel 100 V 9 mOhm PowerTrench Mosfet - TO-220AB
MOSFET-Power, N-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CH MOSFET, 100V, 80A, TO-220AB; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:310W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:80A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:310W; Power Dissipation Pd:310W; Pulse Current Idm:820A; SMD Marking:FDP3632; Voltage Vgs Max:4V
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating44 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time39 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント