Infineon IRF6643TRPBF

Name: Infineon IRF6643TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6643TRPBF

Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

$ 0.911

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRF6643TRPBF	44	1	Cut Tape	0.494	0.494	0.494	0.494	0.494
Rochester Electronics		IRF6643TRPBF	133					1.160	0.963	0.858	13m
DigiKey	2	IRF6643TRPBFCT-ND	3	1	Cut Tape	3.570	3.570	3.570	3.570	3.570
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF6643TRPBF	27	1	Bulk	0.640	0.640	0.640	0.640	0.640	14h
Arrow Electronics	2	IRF6643TRPBF	14,365	1		2.548	1.746	1.373	1.373	1.351

在庫履歴

3か月間の傾向 : -0.15%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF6643TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet10ページ13年前

IHS

Future Electronics

在庫履歴

3か月間の傾向:

-0.15%

CADモデル

製造元 Infineon IRF6643TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonIRF6643TRPBF

InfineonIRF6643TR1PBF

Price @ 1000

$ 0.911

$ 3.65

Stock

346,880

136,803

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

150 V

Continuous Drain Current (ID)

6.2 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

34.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.8 W

Input Capacitance

2.34 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-10-30

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IRF6643TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH Si 150V 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ T/R

Verical

A 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET MZ package rated at 35 amperes optimized with low on resistance for applications such as active ORing. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

N CHANNEL MOSFET, 150V, 6.2mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.2mA; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon