Infineon IRF540NSTRLPBF

Name: Infineon IRF540NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF540NSTRLPBF

Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel

$ 0.698

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF540NSTRLPBF	19,200	800					0.439	0.418	3h
Newark	2	IRF540NSTRLPBF	4,598	1	Cut Tape	2.200	1.470	1.040	1.040	1.040
Future Electronics	2	IRF540NSTRLPBF	53,600	800	Tape & Reel				0.670	0.650
Rochester Electronics		IRF540NSTRLPBF	1,234					0.841	0.698	0.622	1h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF540NSTRLPBF	352	1	Bulk	0.190	0.190	0.190	0.190	0.190	17h

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Newark

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Datasheet11ページ20年前

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IHS

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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部品

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InfineonIRF540NSTRLPBF

InfineonIRF540NSTRRPBF

Price @ 1000

$ 0.698

$ 0.866

Stock

1,834,521

731,182

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

33 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

44 mΩ

8.4 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

1.96 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-04-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF540NSTRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel

Jameco

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100V 44 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK; TRA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A;

element14 APAC

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Rebound Electronics

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:33A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:130W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF540NSTRLPBF.

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 44 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 130

Distrelec