Infineon IRF540NSPBF

Name: Infineon IRF540NSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF540NSPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 44MILLIOHMS; Id 33A; D2PAK; Pd 130W; Vgs +/-20

$ 0.98

Obsolete

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価格と在庫

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF540NSPBF	0	1	Bulk	1.640	1.450	1.280	0.980	0.980	2h
Farnell	IRF540NSPBF	0	1		1.613*	1.272*	0.920*	0.643*	0.631*	13h
Win Source	WS-IRF540NSPBF	57,280	90				0.581	0.452	0.452	14h
Worldway Electronics	IRF540NSPBF	18,245	7	Tube		0.352	0.346	0.332	0.332	9h
Aztech	IRF540NSPBF	620			7.470	7.470	7.470	7.470	7.470	8h

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Newark

Datasheet11ページ22年前

Datasheet11ページ20年前

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-04-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRF540NSPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

Win Source

IRF540NSPBF Series 100 V 44 mOhm 33 A SMT HEXFET® Power MOSFET - D2PAK-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 3.8 W

Distrelec

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:33A; On Resistance, Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 100V, 33A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:33A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.1°C/W; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:110A; SMD Marking:IRF540NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC