CADモデル
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.995
$ 4.38
Stock
947,523
92,061
Authorized Distributors
5
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vds)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
38 A
Threshold Voltage
-4 V
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
170 W
Input Capacitance
2.78 nF
2.78 nF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-08-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
関連部品
InfineonIRF540NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
InfineonIRF540NSTRLPBF
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
InfineonIRF540NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
説明
Infineon IRF5210STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK "P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK"
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-40A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 38 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 60 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 55 / Rise Time ns = 63 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 170
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.78 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity800
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント