価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRFS8409TRL | 18,400 | 16h | |||||||||
| DigiKey | 448-AUIRFS8409TRLCT-ND | 5 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRFS8409TRL | 0 | 800 | Bulk | 9h | |||||||
| Microchip USA | AUIRFS8409TRL | 137 | 300 | Tray | 10h | |||||||
| Verical | AUIRFS8409TRL | 18,400 | 108 |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 3.09
$ 1.9
Stock
294,251
84,564
Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
3.9 V
Rds On Max
1.2 mΩ
1.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
14.24 nF
14.24 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIRFS7430PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIRFS7430TRLPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH320N4F6-2
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFSL7430PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH410N4F7-2AG
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH400N4F6-2
STH400N4F6-2 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 3-Pin H2PAK-2
説明
Infineon AUIRFS8409TRLの詳細は販売業者から提供されます。
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Battery Switch; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; DC-DC; Electric Power Steering; Glowplug; PTC Heater; Relay Replacement
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Resistance1.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance14.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.2 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.2 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time32 ns
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント