価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STH410N4F7-2AG | 14,000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STH410N4F7-2AG | 14,000 | 1K | |||||||||
| DigiKey | 497-16421-1-ND | 1,083 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | STH410N4F7-2AG | 0 | 1K | 1d | ||||||||
| Farnell | STH410N4F7-2AG | 0 | 1K | Custom Reel | 9h |
CADモデル
製造元 STMicroelectronics STH410N4F7-2AG のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonAUIRFS8408-7P
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonAUIRFS8409
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH320N4F6-2
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTH400N4F6-2
STH400N4F6-2 N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 40 V, 3-Pin H2PAK-2
STMicroelectronicsSTH360N4F6-2
N-channel 40 V, 180 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package
説明
STMicroelectronics STH410N4F7-2AGの詳細は販売業者から提供されます。
Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package
STMICROELECTRONICS STH410N4F7-2AG MOSFET Transistor, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V
Mosfet, N-Ch, 40V, 200A, H2Pak; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):800Μohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH410N4F7-2AG
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, H2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 200A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 800µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4.5V; Power Dissipation Pd: 365W; Transistor Case Style: H2PAK-2; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
メーカーの別名
STMicroelectronicsは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 STMicroelectronics は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance11.5 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation365 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation365 W
Rds On Max1.1 mΩ
Threshold Voltage4.5 V