Vishay SIR870DP-T1-GE3
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +18.73%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR870DP-T1-GE3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
VishaySIR826DP-T1-GE3
SiR826DP Series 80 V 4.8 mOhm 60 nC SMT N-Channel MOSFET - POWERPAK-SO-8
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
InfineonIRF7473PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIR870DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
Single N-Channel 100 V 0.006 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +18.73%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance6.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.84 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max6 mΩ
Resistance6 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIR870DP-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità