Vishay SIR826DP-T1-GE3
$ 1.46
NRND
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Tendenza a 3 mesi: -0.62%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-28
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIR870DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIR826DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
SiR826DP Series 80 V 4.8 mOhm 60 nC SMT N-Channel MOSFET - POWERPAK-SO-8
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.8V@ 250¦ÌA 90nC@ 10 V 1N 80V 4.8m¦¸@ 20A,10V 60A 2.9nF@40V 6.15mm*5.15mm*1.04mm
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:60A; On Resistance Rds(On):0.004Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V Rohs Compliant: Yes
MOSFET, N CH, DIO, 80V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.62%
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation6.25 W
Rds On Max4.8 mΩ
Rise Time14 ns
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità