Vishay SIJ470DP-T1-GE3
$ 0.745
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | SIJ470DP-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| Verical | SIJ470DP-T1-GE3 | 3000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SIJ470DP-T1-GE3CT-ND | 438 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SIJ470DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 19h | ||||||||
| TTI | SIJ470DP-T1-GE3 | 0 | 6K | Tape & Reel | 22h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +62.60%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIJ470DP-T1-GE3.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-08-06
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
VishaySIR846DP-T1-GE3
Single N-Channel 100V 0.0078 Ohm Medium Voltage ThunderFET® Mosfet POWERPAK-SO-8
VishaySI4190ADY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 18.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySI7852ADP-T1-GE3
Single N-Channel 80 V 0.017 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SIJ470DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 100 V 9.1 mOhm 56.8 W SMT ThunderFET Mosfet - PowerPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 58.8A I(D), 100V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SINGLE N-CHANNEL 100V POWERPAK SO-8L MOSFET 9.1MOHM@ 10V
Trans MOSFET N-CH 100V 58.8A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
189W 20V 4.5V@ 760uA 67nC@ 10V 1N 600V 75m¦¸@ 15.1A,10V 33A 2.721nF@ 400V SOP 4.9mm*4.37mm*1.07mm
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +62.60%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals4
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)58.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Rds On Max9.1 mΩ
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SIJ470DP-T1-GE3.