Vishay SI7846DP-T1-GE3
$ 1.437
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 742-SI7846DP-T1-GE3CT-ND | 3506 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 13h | |||||||
| Newark | SI7846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI7846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | 13h | ||||||||
| TTI Europe | SI7846DP-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 15h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +417%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7846DP-T1-GE3.
Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 1.437
$ 1.2
Stock
144,273
1,176,675
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
4.5 V
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
1.9 W
Input Capacitance
-
-
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI7846DP-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
1.9W(Ta) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 36nC@ 10 V 1N 150V 50m¦¸@ 5A,10V 4A 4.9mm*5.89mm*1.07mm
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
150V 4A 50mΩ@5A,10V 1.9W null SOP-8 MOSFETs ROHS
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +417%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max50 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7846DP-T1-GE3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità