Vishay SI7846DP-T1-E3
$ 1.2
NRND
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | SI7846DP-T1-E3 | 36 | 7 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7846DP-T1-E3 | 36 | 1 | |||||||||
| DigiKey | SI7846DP-T1-E3CT-ND | 22.735 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7846DP-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 11h | |||||||
| Newark | SI7846DP-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +134%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7846DP-T1-E3.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | 3D | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.437
Stock
1,176,675
137,504
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
Threshold Voltage
4.5 V
-
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.9 W
-
Input Capacitance
-
-
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-13
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Parti correlate
VishaySI4488DY-T1-GE3
1.56W(Ta) 20V 2V@ 250¦ÌA (Min) 36nC@ 10 V 1N 150V 50m¦¸@ 5A,10V 3.5A SOIC-8 1.75mm
Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI7846DP-T1-E3 fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 150 V 0.05 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Trans MOSFET N-CH 150V 4A Automotive 8-Pin PowerPAK SO T/R / MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET TRANSISTOR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.7A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Current Id Max:24.5A; Package / Case:SOIC-8; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Mosfet, N Channel, 150V, 0.041Ohm, 4A, Powerpak So, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:1.9Wrohs Compliant: No |Vishay SI7846DP-T1-E3.
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +134%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.2 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Vishay SI7846DP-T1-E3.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità