Texas Instruments CSD88539NDT
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Price @ 1000
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Stock
279,865
576,113
Authorized Distributors
3
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
28 mΩ
28 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
2.1 W
Input Capacitance
741 pF
741 pF
Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 22 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
Risorse di progettazione
Visualizza i kit di valutazione e i progetti di riferimento per Texas Instruments CSD88539NDT.
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMP6A17N8TC
Single P-Channel 60 V 0.19 Ohm 9 nC 2.5 mW Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
VishaySI9407BDY-T1-GE3
SI9407BDY Series 60 V 0.12 Ohm 22 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Texas Instruments CSD88539NDT fornite dai suoi distributori.
MOSFET Transistor, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 3 V
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual SO-8, 28 mOhm 8-SOIC -55 to 150
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 15A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 60V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Alias del produttore
Texas Instruments ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Texas Instruments può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Weight540.001716 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance741 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max28 mΩ
Rise Time9 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Thickness1.58 mm
Width3.91 mm
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità