Diodes Inc. DMN6040SSD-13
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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$ 0.335
Stock
7,563,373
1,876,505
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
Drain to Source Voltage (Vds)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
40 mΩ
40 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
1.3 W
-
Input Capacitance
1.287 nF
1.287 nF
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMN6066SSS-13
DiodesZetex NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 5 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
Diodes Inc.DMP4050SSS-13
DMP4050SSS Series 40 V 4.4 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF9410TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;gFS 14
InfineonIRF7379TRPBF
IRF7379 Series 30 V 0.045 Ohm N and P-Channel HEXFET® Power MOSFET - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN6040SSD-13 fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
DiodesZetex NChannel EnhancedMOSTube, Vds=60 V, 6.6 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
Dual N-Channel 60 V 40 mO Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
60V DUAL N-CH ENHANCEMENT MOSFET SOIC8
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
60V 5A 1.3W 40mΩ@10V,4.5A 2 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.287 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time8.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20.1 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità