STMicroelectronics STW27N60M2-EP
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 24 A, 150 mΩ, TO-247
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STW27N60M2-EP fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 / N-Channel 600 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.163ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 600V, 20A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.15Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW27N60M2-EP
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.45%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance163 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max163 mΩ
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
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