STMicroelectronics STGWT40H65DFB
$ 1.822
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.22%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STGWT40H65DFB, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
STMicroelectronicsSTGWT60H65DFB
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
InfineonIKP40N65H5XKSA1
IKP40N65H5: 650 V 74 A High Speed 5 IGBT TRENCHSTOPTM 5 Technology-PG-TO220-3
InfineonIKP40N65F5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
InfineonIGW50N65F5FKSA1
Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STGWT40H65DFB fornite dai suoi distributori.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
STGWT40 Series 650 V 80 A Through Hole Silicon IGBT - TO-3P
Igbt, 650V, 80A, 175Deg C, 283W; |Stmicroelectronics STGWT40H65DFB
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
STGWT40H65DFB, IGBT Transistor, 80 A 650 V, 3-Pin TO-3P
283W 1.6V Freestanding 650V 80A TO-3P Through hole mounting 23.4mm(height)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 283W;
TO3P IGBT 40A @100C 600V TRENC
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.22%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time62 ns
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant