STMicroelectronics STGWT60H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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DistributorSKUMinPkg
NewarkSTGWT60H65DFB4151
VericalSTGWT60H65DFB3603
Arrow ElectronicsSTGWT60H65DFB3601
TME
2
STGWT60H65DFB811
17h
DigiKey497-14232-5-ND941Tube

Schede tecniche e documenti

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Future Electronics

Datasheet19 pagine13 anni fa
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TME

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Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STGWT60H65DFB fornite dai suoi distributori.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
STMicroelectronics
375W 80A 650V FS(Field Stop) TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
EBEE
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Verical
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L / Low thermal resistance
Win Source
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
IHS
晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 375W;
element14 APAC
IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 375W;
Farnell
TO3P IGBT 60A @100C 600V TRENC
Anglia
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Immagini

RS
Augswan
element14 APAC
TME
Lanka Micro
UTSource
Future Electronics

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics