STMicroelectronics STD4NK100Z

Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 2.2 A, 6.8 Ohm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 1.407
Production
Pagina del produttoreScheda dati

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STD4NK100Z.

Future Electronics

Datasheet16 pagine13 anni fa

STMicroelectronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.10%

Modelli CAD

Scarica il simbolo STMicroelectronics STD4NK100Z, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.

FONTEeCADmCADFILE
Component Search Engine
SimboloImpronta
3DScarica
EE Concierge
SimboloImpronta
SnapEDA
Impronta
3DScarica
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.

Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

STMicroelectronicsSTD3NK100Z
N-channel 1000 V, 5.4 Ohm, 2.5 A, DPAK Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD2NK100Z
N-channel 1000 V, 6.25 Ohm typ., 1.85 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD2NK90ZT4
N-CHANNEL 900V - 5.5 Ohm - 2.1A - TO-220 ZENER-PROTECTED SUPERMESH MOSFET
onsemiFQD2N80TM
N-Channel QFET® MOSFET 800V, 1.8A, 6.3Ω
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 1000 V, 1.6 A, 9 Ω, DPAK
onsemiFQD2N90TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 1.7 A, 7.2 Ω, DPAK

Descrizioni

Descrizioni di STMicroelectronics STD4NK100Z fornite dai suoi distributori.

Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 2.2 A, 6.8 Ohm, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1000V, 6.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AECQ101, N-CH, 1KV, 2.2A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2.2A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 5.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: SuperMESH Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Alias del produttore

STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • STD4NK100Z.