STMicroelectronics STD15NF10T4
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Parti correlate
STMicroelectronicsSTD10NF10T4
N-channel 100 V, 0.115 Ohm typ., 13 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD6NF10T4
N-CHANNEL 100V - 0.22 OHM - 6A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD15NF10T4 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
STD15NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 100 V, 3-PIN TO-252
N-channel 100 V, 0.06 Ohm typ., 23 A StripFET II Power MOSFET in a DPAK package
Ciiva
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=100 V, 23 A, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin
MOSFET, N; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:70W;
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating23 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance870 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation70 W
Manufacturer Package IdentifierDPAK_0068772
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max65 mΩ
Resistance65 mΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant