onsemi FDD86102
$ 0.854
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -30.02%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-01-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD15NF10T4
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
InfineonIRFR2607ZPBF
INFINEON IRFR2607ZPBF MOSFET Transistor, N Channel, 42 A, 75 V, 22 mohm, 10 V, 4 V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD86102 fornite dai suoi distributori.
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 100 V, 36 A, 24 mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N CH, 100V, 36A, TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation Pd:62W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; Power Dissipation Pd:62W; Pulse Current Idm:40A
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -30.02%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.035 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max24 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.1 V
Turn-Off Delay Time13.4 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD86102.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità