STMicroelectronics STD10NF10T4
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0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
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N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
onsemiIRLR120ATF
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 8.4A Tc 8.4A 35W 9ns
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD10NF10T4 fornite dai suoi distributori.
N-channel 100 V, 0.115 Ohm typ., 13 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in DPAK package
STD10NF10T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13 A, 100 V, 3-PIN DPAK
MOSFET, N CH, 100V, 13A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power D
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube STripFETseries, Vds=100 V, 13 A, DPAK (TO-252)encapsulation, surface mount, 3Pin
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max130 mΩ
Resistance130 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant