STMicroelectronics STD12NF06T4
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Parti correlate
InfineonIPD088N06N3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STD12NF06T4 fornite dai suoi distributori.
N-Channel 60V - 0.08Ohm - 12A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
MOSFET TRANSISTOR, N CHANNEL, 12 A, 60 V, 0.08 OHM, 10 V, 3 V ROHS COMPLIANT: YES
STD12NF06T4 N-channel MOSFET Transistor, 12 A, 60 V, 3-Pin TO-252
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 12 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
30W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 12nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 100m¦¸@ 6A,10V 12A 315pF@25V DPAK£¬TO-252-3 SMD mount 6.6mm*6.2mm*2.4mm
MOSFET, N CH, 60V, 12A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dis
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -100%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant