onsemi HGTP10N120BN
EOL
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi HGTP10N120BN.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
InfineonIRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PBF Series 600 V 22 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB, TO220COPAK-3, RoHS
onsemiHGTP7N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
InfineonIRG4BC30KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi HGTP10N120BN fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel 1200 V 35 A Flange Mount IGBT - TO-220AB
HGTP10N120BN is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: UPS, solar inverter, motor control and power supplies.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage4.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current35 A
Current Rating35 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time200 ns
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current35 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation298 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation298 W
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time165 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità