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Modelli CAD
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Parti correlate
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4174DY-T1-GE3
2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 10A,10V 17A 985pF@15V SOIC-8 1.75mm
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDS7764S fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
30V/16V, 8.5/10MO, NCH, SINGLE, SO8W, 400A GOX, PTII
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWERTRENCH SYNCFET; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, SMD, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:1.4V; Power Dissipation Pd:2.5mW; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5mW; Pulse Current Idm:50A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Trench; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Current Rating13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance2.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max7.5 mΩ
Resistance75 MΩ
Rise Time7 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.4 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità