Vishay SI4174DY-T1-GE3
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Descrizioni
Descrizioni di Vishay SI4174DY-T1-GE3 fornite dai suoi distributori.
2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 10A,10V 17A 985pF@15V SOIC-8 1.75mm
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET,N CH,30V,17A,SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12A; Power Dissipation Pd:2.5W; Voltage Vgs Max:20V
Alias del produttore
Vishay ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Vishay può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.09%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance985 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max9.5 mΩ
Resistance9.5 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità