Infineon IRF7821PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 7 Milliohms; Id 13.6A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
$ 0.54
Obsolete
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Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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element14 APAC

Datasheet10 pagine19 anni fa

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-05-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Parti correlate

InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
30V 17A 9.5m´Î@10V10A 5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS8896
FAIRCHILD FDS8896 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 15 A, 30 V, 8-PIN SOIC
Single N-Channel 30 V 0.0135 Ohm 30 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
STMicroelectronicsSTS11NF30L
N-Channel 30V - 0.009 Ohm - 11A - SO-8 LOW GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRF7821PBF fornite dai suoi distributori.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Transistor MOSFET N Channel 30 Volt 13.6.6 Amp 8 Pin SOIC
Single N-Channel 30 V 12.5 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC
Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:13.6A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:100A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7821PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • 7821PBF
  • IRF7821 PBF
  • IRF7821PBF.
  • SP001566368