onsemi FDP8443
$ 1.451
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Parti correlate
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.5Milliohms;ID 200A;TO-220AB;PD 230W;-55de
NXP SemiconductorsBUK652R7-30C,127
Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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InfineonIRF1404ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.7Milliohms;ID 190A;TO-220AB;PD 220W;-55de
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP8443 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
188W(Tc) 4V@ 250µA 185nC@ 10V 1individualNChannel 40V 3.5mΩ@ 80A,10V 9.31pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 modelli disponibili
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.31 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation188 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time17.9 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Schede tecniche e documenti
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