onsemi FDP2710
$ 2.219
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.62%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDP2710.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDP2710 fornite dai suoi distributori.
TRANSISTOR, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 250V, 50A, 42.5MOHM, TO-220
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
250 V, 50 A, 42.5 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.0425ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -26.62%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance42.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time154 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance7.28 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation260 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation260 W
Rds On Max42.5 mΩ
Resistance42.5 MΩ
Rise Time252 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time112 ns
Turn-On Delay Time80 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità