onsemi FDMA7630
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Tendenza a 3 mesi: +22.23%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-09-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA7630 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 11A, 13mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 6-Pin MicroFET EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.4W(Ta) 20V 3V@250µA 22nC@10V 1 N-Ch 30V 13mΩ@11A,10V 11A 1.36nF@15V MICROFET-6 SMD 2mm × 2mm × 750μm
TAPE REEL/Single PT7, Nch, 30/20V in MLP 2x2
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.36 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità