onsemi FDG328P
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1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.012
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Stock
469,883
220,423
220,423
Authorized Distributors
1
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
1.5 A
1.4 A
1.4 A
Threshold Voltage
-600 mV
-
-
Rds On Max
145 mΩ
150 mΩ
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
12 V
Power Dissipation
480 mW
-
-
Input Capacitance
337 pF
-
-
Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Parti correlate
VishaySI1902CDL-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; 0.235ohm; 420mW; -55+150 deg.C; SMD; SC70-6
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDG328P fornite dai suoi distributori.
PowerTrench® MOSFET, P-Channel 2.5V Specified, -20 V, -1.5 A, 145 mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R / MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-1.5A; On Resistance, Rds(on):156mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.6V ;RoHS Compliant: Yes
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications for a wide range of gate drive voltages (2.5V – 12V).
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Current Rating-1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance145 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance337 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation480 mW
Rds On Max145 mΩ
Resistance145 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-600 mV
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità