onsemi FDD8780
$ 0.428
Obsolete
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
InfineonIPD040N03LGATMA1
N-Channel 30 V 90 A 4 mOhm Surface Mount OptiMOS Power-Transistor - PG-TO252-3
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD8780 fornite dai suoi distributori.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 25V, 35A, 8.5mΩ
N-Channel 25 V 35 A 8.5 mOhm PowerTrench® MOSFET- TO-252AA
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 25V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 35A; Drain Source Voltage Vds: 25V; On Resistance Rds(on): 0.0065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V;
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on) and fast switching speed.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità