Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD8586.
Scheda dati ufficiale2 anni fa
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-03-02
LTD Date2011-09-02
Parti correlate
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Diodes Inc.DMN4010LK3-13
DMN Series 40 V 11.5 mOhm 1.6 W SMT N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-252-3L
InfineonIPD040N03LGATMA1
79W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 30V 4m¦¸@ 30A,10V 90A 3.9nF@15V TO-252
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD8586 fornite dai suoi distributori.
TRANS MOSFET N-CH 20V 35A 3PIN TO-252
MOSFETs 20V,35A,5.5 OHM, NCH, DPAK, PO
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 20V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):5.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:77W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-252; Current Id Max:35A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:77W; Power Dissipation Pd:77W; Pulse Current Idm:354A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1.2V
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance5.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.48 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation77 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Elements1
Power Dissipation77 W
Rds On Max5.5 mΩ
Resistance5.5 MΩ
Rise Time11 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDD8586.
Scheda dati ufficiale2 anni fa
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità