onsemi FDA59N25

Name: onsemi FDA59N25
Brand: onsemi
SKU: FDA59N25

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 59A, 49mΩ, TO-3P

$ 1.81

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDA59N25	1867	1		5,210	3,200	2,760	2,610	2,610
Arrow Electronics	3	FDA59N25	11	1		2,532	1,685	1,685	1,685	1,685
Verical	2	FDA59N25	10	4			1,853	1,743	1,632	1,632
DigiKey		FDA59N25-ND	182	1	Tube	4,810	4,810	2,683	1,869	1,739
Flip Electronics		FDA59N25	450								7d

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Newark

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Farnell

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Supply Chain

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-10-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

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Descrizioni

Descrizioni di onsemi FDA59N25 fornite dai suoi distributori.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250V, 59A, 49mΩ, TO-3P

onsemi

Single N-Channel 250 V 0.049 Ohm 82 nC 392 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-3PN

Future Electronics

MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):49mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:392W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:59A; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:392W; Power Dissipation Pd:392W; Pulse Current Idm:236A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

Immagini

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

FDA59N25.

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Specifiche tecniche

Physical

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.401 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)59 A

Drain to Source Breakdown Voltage250 V

Drain to Source Resistance49 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)250 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time170 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance4.02 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation392 W

Min Breakdown Voltage250 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation392 W

Rds On Max49 mΩ

Rise Time480 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage5 V

Turn-Off Delay Time90 ns

Turn-On Delay Time70 ns

Dimensions

Height22.6 mm

Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet0 pagine0 anni fa

Datasheet8 pagine20 anni fa

Upverter

IHS

onsemi

Farnell

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSNon-Compliant

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement3 pagine5 anni fa

Reach Statement3 pagine12 anni fa

Materials Sheet3 pagine12 anni fa

Reach Statement3 pagine11 anni fa

Materials Sheet3 pagine11 anni fa

Reach Statement8 pagine11 anni fa

Rohs Statement1 pagina13 anni fa

Rohs Statement1 pagina14 anni fa

Reach Statement2 pagine13 anni fa

Rohs StatementN/AN/A