Infineon IRFR15N20DTRPBF

IRFR15N20DPBF N-channel MOSFET Transistor; 17 A; 200 V; 3-Pin DPAK
$ 0.646
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRFR15N20DTRPBF12771Cut Tape
RutronikTMOSP1226332.0002K
11h
Rochester ElectronicsIRFR15N20DTRPBF121
4h
Arrow Electronics
3
IRFR15N20DTRPBF43001
DigiKey
3
IRFR15N20DTRPBFCT-ND10.3931Cut Tape

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IRFR15N20DTRPBF.

TME

Datasheet11 pagine21 anni fa

IHS

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

InfineonIRFR18N15DTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
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InfineonIRFR18N15DPBF
Single N-Channel 150 V 0.125 Ohm 28 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
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InfineonIRFR13N20DPBF
Single N-Channel 200 V 0.235 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
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onsemiFDD120AN15A0
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
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onsemiFDD120AN15A0-F085
N-Channel Power Trench® MOSFET, 150V, 14A, 120mΩ
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onsemiFDD2582
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 66mΩ
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IRFR15N20DTRPBF fornite dai suoi distributori.

IRFR15N20DPBF N-channel MOSFET Transistor; 17 A; 200 V; 3-Pin DPAK
SHENGYU ELECTRONICS
Single N-Channel 200V 165 mOhm 27 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-263 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 140 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
ComSIT Distribution GmbH
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5.5V; Power Dissipation:140W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR15N20DTRPBF.
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Immagini

Infineon
Newark
element14 APAC
Distrelec
TME
iiiC
Future Electronics
LZChips

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IRFR15N20DTRPBF.
  • SP001555046