Infineon IRFB3206GPBF
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Stock
311,296
1,168,229
Authorized Distributors
3
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
3 mΩ
3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
6.54 nF
6.54 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
Parti correlate
InfineonIRF3808PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 5.9Milliohms;ID 140A;TO-220AB;PD 330W;-55de
InfineonIRF1407PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 0.0078Ohm;ID 130A;TO-220AB;PD 330W;VGS +/-20
InfineonIRF1607PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 0.0058Ohm;ID 142A;TO-220AB;PD 380W;VGS +/-20
NXP SemiconductorsBUK7506-55B,127
Trans MOSFET N-CH 55V 145A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRFB3206GPBF fornite dai suoi distributori.
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free Halogen Free TO-220AB package
Single N-Channel 60 V 3 mOhm 170 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET, 60V, 210A, 3 MOHM, 120 NC QG, TO-220AB, HALOGEN-FREE
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
Trans MOSFET N-CH 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
300W(Tc) 20V 4V@ 150¦ÌA 170nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3m¦¸@ 75A,10V 120A 6.54nF@50V TO-220AB Through hole mounting 10mm*4.4mm*15.65mm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:210A; On Resistance, Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4V; Threshold Voltage, Vgs Typ:4V; Package/Case:3-TO-220 ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time82 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità