Infineon IRF7468PBF
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-04-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Parti correlate
InfineonIRF7470PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 9 Milliohms;ID 10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7470TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 9 Milliohms;ID 10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7468PBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 11.7 Milliohms;ID 9.4A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
Single N-Channel 40 V 15.5 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOIC-8 Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2.5 W
Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 40V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):15.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:9.4A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:75A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF7468PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.4 A
Current Rating9.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance15.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15.5 mΩ
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max15.5 mΩ
Resistance15.5 MΩ
Rise Time2.3 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7.6 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità