Infineon IRF7424TRPBF
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Stock
352,608
598,149
Authorized Distributors
3
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOP
Drain to Source Voltage (Vds)
-30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
12 A
Threshold Voltage
-2.5 V
-
Rds On Max
13.5 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
25 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
4.03 nF
1.802 nF
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
Parti correlate
InfineonIRF7424PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 13.5 Milliohms;ID -11A;SO-8;PD 2.5W;gFS 17S
VishaySI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IRF7424TRPBF fornite dai suoi distributori.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 13.5 Milliohms;ID -11A;SO-8;PD 2.5W;gFS 17S
Mosfet, P-Channel, 30V, 11A, Soic Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF7424TRPBF
Single P-Channel 30V 22 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 11 A, 0.0135 ohm, SOIC, Surface Mount
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
P CHANNEL MOSFET, 11A; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -11A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.0135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating-11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance13.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-30 V
Fall Time76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.03 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13.5 mΩ
Resistance13.5 MΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità