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Infineon IPP65R110CFDXKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
$ 3.06
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
Rochester Electronics
IPP65R110CFDXKSA1
400
USD
3,420
3,060
2,880
8h
Microchip USA
IPP65R110CFDXKSA1
223
50
Tube
USD
28,936
28,936
28,936
2d
Component Search
IPP65R110CFDXKSA1
365
10h
Win Source
WS-IPP65R110CFDXKSA1
10.810
12
USD
3,514
3,514
3,514
10h
Worldway Electronics
IPP65R110CFDXKSA1
5523
7
USD
2,845
2,792
2,684
2,631
8h

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IPP65R110CFDXKSA1.

IHS

Datasheet20 pagine14 anni fa

TME

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%
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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIPP65R110CFDXKSA1
InfineonIPP65R110CFDAAKSA1
Price @ 1000
$ 3.06
$ 3.325
Stock
51,711
199,834
Authorized Distributors
1
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
31.2 A
31.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
110 mΩ
110 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
277.8 W
277.8 W
Input Capacitance
3.24 nF
3.24 nF

Supply Chain

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)

Parti correlate

InfineonIPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
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STMicroelectronicsSTP45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
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128W 20V 4V 45nC@ 10V 1N 650V 95m¦¸@ 10V 24A 2.14nF@ 400V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
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N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh m5 Power MOSFET in TO-220 package
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N-channel 650 V, 0.09 Ohm, 28 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFET N-Ch 600V 31A 255W(Tc) 20V 3.5V@1.2mA 80nC@10V 99mΩ@18A,10V 2.8nF@100V TO-220 TH 9.45mm H
Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPP65R110CFDXKSA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 650V 31.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
Mosfet, N-Ch, 650V, 31.2A, 277.8W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:31.2A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP65R110CFDXKSA1
Newark
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Immagini

element14 APAC
TME
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP000895226