Infineon IPP60R099CPXKSA1

Name: Infineon IPP60R099CPXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP60R099CPXKSA1

255W(TC) 20V 3.5V@1.2MA 80NC@ 10 V 1N 600V 99M¦¸@ 18A, 10V 31A 2.8NF@100V TO-220, TO-220-3 9.45MM

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IPP60R099CPXKSA1	500	1		6,960	3,970	3,640	3,620	3,620
Arrow Electronics	IPP60R099CPXKSA1	31	1		4,481	4,481	4,481	4,481	4,481
Rochester Electronics	IPP60R099CPXKSA1	6359					3,070	2,750	2,580	13h
DigiKey	IPP60R099CPXKSA1-ND	1375	1	Tube	7,870	7,870	3,887	3,078	3,066
Avnet	IPP60R099CPXKSA1	0	500					3,315	3,066	16h

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IHS

Datasheet10 pagine15 anni fa

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Supply Chain

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-12-16

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPP60R099CPXKSA1 fornite dai suoi distributori.

255W(Tc) 20V 3.5V@1.2mA 80nC@ 10 V 1N 600V 99m¦¸@ 18A,10V 31A 2.8nF@100V TO-220,TO-220-3 9.45mm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET N-CH 650V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

COOL MOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.

Infineon

MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:31A; On State Resistance:0.099ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):99mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:255W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:31A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:255W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Immagini

Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

IPP60R099CP
SP000057021

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Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageTO-220

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)31 A

Drain to Source Resistance99 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.8 nF

Max Dual Supply Voltage600 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation255 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance99 mΩ

Package Quantity500

Power Dissipation255 W

Rds On Max99 mΩ

Rise Time5 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time10 ns

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet10 pagine15 anni fa

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iiiC

TME

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Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Conflict Mineral StatementN/AN/A