STMicroelectronics STP45N65M5
$ 3.992
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.54%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STP45N65M5.
Modelli CAD
Scarica il simbolo STMicroelectronics STP45N65M5, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 Ohm, 27 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
onsemiFCP067N65S3
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-220
InfineonIPP65R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 38A TO220-3 / N-Channel 650 V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STP45N65M5 fornite dai suoi distributori.
N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
STP45N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 710 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 35 A, 0.078 ohm, TO-220, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 35A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:35A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP45N65M5
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.54%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.375 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
Power Dissipation208 W
Rds On Max78 mΩ
Resistance78 MΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time79.5 ns
Turn-On Delay Time79.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per STMicroelectronics STP45N65M5.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant