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Infineon IPB80N06S209ATMA2

55V, N-Ch, 8.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
$ 1.14
Production
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet8 pagine20 anni fa

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
-100%

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 1.14
$ 1.14
Stock
585,422
585,422
Authorized Distributors
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
55 V
Continuous Drain Current (ID)
80 A
80 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
8.8 mΩ
8.8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
190 W
190 W
Input Capacitance
2.36 nF
2.36 nF

Supply Chain

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)

Parti correlate

InfineonIRF1010ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 5.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-20
InfineonAUIRF1010ZS
Trans MOSFET N-CH 55V 94A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
InfineonAUIRL3705ZS
Single N-Channel 55 V 8 mOhm 40 nC Automotive HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Single N-Channel 60 V 8.5 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
InfineonAUIRF1010EZS
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
40V, N-Ch, 6.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
285W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 210nC@ 20V 1individualNChannel 55V 8m¦¸@ 75A,10V 3.2pF@25V D2PAK SMD mount
285W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 210nC@ 20V 1individualNChannel 55V 8m¦¸@ 75A,10V 3.2pF@25V D2PAK SMD mount

Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB80N06S209ATMA2 fornite dai suoi distributori.

55V, N-Ch, 8.8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 / N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
190W(Tc) 20V 4V@ 125¦ÌA 80nC@ 10 V 1individualNChannel 55V 8.8m¦¸@ 50A,10V 80A 2.36nF@25V TO-263-3 SMD mount 10mm*9.25mm*4.4mm
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • IPB80N06S2-09
  • IPB80N06S209
  • IPB80N06S209ATMA1
  • SP001061716