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Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi HUF75343S3S.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Parti correlate
InfineonIPB80N06S208ATMA2
55V, N-Ch, 7.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
InfineonSPB80N06S08ATMA1
55V, N-Ch, 8 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, SIPMOS™, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIRF1010ZSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 5.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 140W;VGS +/-20
Descrizioni
Descrizioni di onsemi HUF75343S3S fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
TRANS MOSFET N-CH 55V 75A 3PIN TO-263AB
PWR MOS ULTRAFET 55V/75A/0.009OHMS N-CHANNEL<AZ
MOSFETs 75a,55V,0.009Ohm,NCh UltraFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation270 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation270 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità