onsemi HUFA75344S3ST
$ 1.121
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi HUFA75344S3ST.
Parti correlate
InfineonIPB80N06S407ATMA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N06S207ATMA4
55V, N-Ch, 6.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
InfineonAUIRF1018ES
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi HUFA75344S3ST fornite dai suoi distributori.
75 A 55 V 0.008 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
MOSFETs 75a,55V,0.008Ohm,NCh UltraFET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: Restocked
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation285 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation285 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time125 ns
Turn-Off Delay Time46 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità