Infineon IPB65R150CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 1.88
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB65R150CFDATMA1398.000
9h
Farnell
2
IPB65R150CFDATMA101Cut Tape
9h
HQonlineDS008124111
>1w
Microchip USAIPB65R150CFDATMA1256150Tray
6d
Win SourceWS-IPB65R150CFDATMA115.00012
10h

Schede tecniche e documenti

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet20 pagine14 anni fa

TME

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Parti alternative

Questo componente
Parti alternative
InfineonIPB65R150CFDATMA1
InfineonIPB65R150CFDAATMA1
Price @ 1000
$ 1.88
$ 2.187
Stock
1,282,426
502,529
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
22.4 A
22.4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
150 mΩ
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
195.3 W
195.3 W
Input Capacitance
2.34 nF
2.34 nF

Supply Chain

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2023-08-31
LTD Date2024-02-29

Parti correlate

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Descrizioni

Descrizioni di Infineon IPB65R150CFDATMA1 fornite dai suoi distributori.

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 650V, 22.4A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22.4A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: -; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CFD2 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Immagini

TME
Newark
Farnell
Future Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • SP000907034