STMicroelectronics STB33N60M2
$ 1.898
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB33N60M2 | 3000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB33N60M2 | 3000 | 1K | |||||||||
| Rochester Electronics | STB33N60M2 | 16.202 | 1d | |||||||||
| DigiKey | 497-14973-1-ND | 1060 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STB33N60M2 | 0 | 1 | Cut Tape |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +4.83%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Parti correlate
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Descrizioni
Descrizioni di STMicroelectronics STB33N60M2 fornite dai suoi distributori.
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
N-Channel 600 V 26 A 0.125 Ohm Surface Mount MDmesh II Plus Mosfet - D2PAK
Mosfet, N-Ch, 600V, 26A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STB33N60M2
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
STMicroelectronics ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. STMicroelectronics può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.781 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time109 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant